IRFH5210TRPBF

1.Kerugian Pengaliran Rendah
2. Membolehkan pelesapan haba yang lebih baik
3.Meningkatkan Kebolehpercayaan
4.Meningkatkan Ketumpatan Kuasa
5. Keserasian Berbilang Vendor
6. Pengilangan yang lebih mudah
7. Lebih Mesra Alam
8.Meningkatkan Kebolehpercayaan

Nombor Bahagian Pengilang:IRFH9310TRPBF
Pengeluar / Jenama Penerus Antarabangsa (Infineon Technologies)
Bahagian Penerangan:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status Bebas Plumbum / Status RoHS: Bebas Plumbum / Patuh RoHS
Keadaan Stok: Baru original, 12000 pcs Stok Tersedia.
Dihantar Dari:Hong Kong
Cara Penghantaran: DHL/Fedex/TNT/UPS
Nilai Atribut Atribut Produk Pilih Atribut
Nombor Bahagian IRFH9310TRPBF
Pengilang / Jenama Penerus Antarabangsa (Infineon Technologies)
Kuantiti Stok 12000 pcs Stok
Kategori Produk Semikonduktor Diskret > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Penerangan MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status Bebas Plumbum / Status RoHS: Bebas Plumbum / Patuh RoHS
Lebar - Dalam -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltan/Arus - Output 1 PQFN (5x6)
Toleransi 5250pF @ 15V
Saluran P Jenis Ekor
Sudut Langkah MOSFET (Oksida Logam)
Mengecilkan Suhu Infineon Technologies
Jenis SFP/XFP ±20V
Keupayaan Jauh HEXFET®
Pitch - Pemasangan Permukaan Kabel
Nama Lain Bebas plumbum / Mematuhi RoHS
Nama Lain 1
Pengayun Jenis 8-KuasaVDFN
Bilangan 30V DAC
Graviti Spesifik Cecair Minimum -
Orientasi Perkawinan 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Nombor Bahagian Pengilang IRFH9310TRPBFDKR-ND
Panjang - Tong Digi-Reel®
Warna Lampu 4.5V, 10V
Voltan Sisi Tinggi - Maks (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Fungsi 58nC @ 4.5V
Kuasa Gegelung Aktif
Kapasitan Saluran (CS(mati), CD(mati)) 3.1W (Ta)
Jenis Pembaca Kad 2.4V @ 100µA
Ciri-ciri dan manfaat
Ciri-ciri Manfaat Terhasil
RDSon Rendah (≤ 4.6mΩ) Kehilangan Pengaliran Rendah
Keserasian Pelbagai Vendor Pakej PQFN Standard Industri
Mematuhi RoHS Tidak Mengandungi Plumbum, Tiada Bromida dan Tiada Halogen Lebih Mesra Alam
keputusan dalam
Catatan
Kuantiti Borang
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Pita dan Kekili 4000
Nombor bahagian boleh dipesan Jenis Pakej Pek Standard
VDS -30 V
RDS(on) maks
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (tipikal) 110 nC
RG (tipikal) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Penilaian Maksimum Mutlak
Unit Parameter
Voltan Longkang-ke-Sumber VDS
Voltan Gerbang-ke-Sumber VGS
ID @ TA = 25°C Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V (Pakej Terhad)
Arus Parit Berdenyut IDM
PD @TA = 25°C Pelesapan Kuasa
PD @ TA = 70°C Pelesapan Kuasa
Faktor Penurunan Linear W/°C
Persimpangan Operasi TJ dan
Julat Suhu Penyimpanan TSTG
Penilaian berulang;lebar nadi dihadkan oleh maks.suhu simpang.
Bermula TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Lebar nadi ≤ 400µs;kitaran tugas ≤ 2%.
Apabila dipasang pada papan tembaga persegi 1 inci.
Rθ diukur pada TJ kira-kira 90°C.
Untuk BANTUAN DESIGN SAHAJA, tidak tertakluk kepada ujian pengeluaran.